| 型号： | SPP80N06S2L-11 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPP80N06S2L-11 PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 05/Jun/2008 |
| 标准包装 | 500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 93µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 158W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | P-TO220-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | SP000013584 SPP80N06S2L11 |